ELECTRICAL RESISTIVITY AND THERMIONIC EMISSION OF SILICON

被引：20

作者：

ESAKI, L

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1143/JPSJ.8.347

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：347 / 349

页数：3

相关论文

共 4 条

[1]

FOWLER GH, 1933, P ROY SOC, V140, P505

[2] CONTACT POTENTIAL DIFFERENCE IN SILICON CRYSTAL RECTIFIERS [J].

MEYERHOF, WE .

PHYSICAL REVIEW, 1947, 71 (10) :727-735

PEARSON, GL ;

BARDEEN, J .

PHYSICAL REVIEW, 1949, 75 (05) :865-883

[4]

1953, PHYS REV, V89, P398