FAILURE PHYSICS APPROACH TO IC RELIABILITY

被引：6

作者：

FARROW, RH

PARKER, GW

机构：

来源：

MICROELECTRONICS AND RELIABILITY | 1972年 / 11卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0026-2714(72)90697-X

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：151 / &

共 41 条

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