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ENHANCEMENT OF MODULATION BANDWIDTH IN INGAAS STRAINED-LAYER SINGLE QUANTUM WELL LASERS
被引:56
作者
:
LAU, KY
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机构:
ORTEL CORP,ALHAMBRA,CA 91803
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LAU, KY
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XIN, S
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ORTEL CORP,ALHAMBRA,CA 91803
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WANG, WI
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BARCHAIM, N
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MITTELSTEIN, M
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ORTEL CORP,ALHAMBRA,CA 91803
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MITTELSTEIN, M
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机构
:
[1]
ORTEL CORP,ALHAMBRA,CA 91803
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1989年
/ 55卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.101688
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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Yariv A., 1985, SEMICONDUCT SEMIMET, V22
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