TITANIUM DIOXIDE AS GATE INSULATOR FOR M O S TRANSISTORS

被引：1

作者：

WAKEFIELD, J

GAMBLE, HS

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1970年 / 6卷 / 16期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19700352

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：507 / +

页数：1

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共 2 条

[1]

HARBISON DR, 1969, THIN FILM DIELECTRIC, P209

[2]

WAKEFIELD J, 1969, MOS TRANSISTORS USIN