CARBIDE FORMATION DUE TO AR ION ETCHING OF SI

被引：22

作者：

KNY, E ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MISSOURI,GRAD CTR MAT RES,ROLLA,MO 65401

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY | 1980年 / 17卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.570535

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：658 / 660

页数：3

共 7 条

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