INVERSE-GEOMETRY DEPENDENCE OF MOS-TRANSISTOR ELECTRICAL PARAMETERS

被引：12

作者：

HSU, MC ^{[1
]}

SHEU, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SO CALIF,INST INFORMAT SCI,LOS ANGELES,CA 90089

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TCAD.1987.1270305

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

页码：582 / 585

页数：4

共 7 条

COX, P ;

YANG, P ;

MAHANTSHETTI, SS ;

CHATTERJEE, P .

MASUDA, H ;

NAKAI, M ;

KUBO, M .

[3] SHORT-CHANNEL MOST THRESHOLD VOLTAGE MODEL [J].

RATNAKUMAR, KN ;

MEINDL, JD .

[4]

SHEU BJ, 1985, ERLM8522 U CAL EL RE

[5]

SHEU BJ, 1986, UNPUB IEEE J SOL JUL

[6]

SZE SM, 1981, PHYSICS SEMICONDUCTO, P471

[7]

WRIGHT GT, 1985, IEEE T ELECTRON DEVI, V32