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CALCULATION OF THE SPACE CHARGE, ELECTRIC FIELD, AND FREE CARRIER CONCENTRATION AT THE SURFACE OF A SEMICONDUCTOR
被引:343
作者
:
KINGSTON, RH
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KINGSTON, RH
NEUSTADTER, SF
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0
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0
NEUSTADTER, SF
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1955年
/ 26卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1722077
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:718 / 720
页数:3
相关论文
共 2 条
[1]
THE THEORY OF P-N JUNCTIONS IN SEMICONDUCTORS AND P-N JUNCTION TRANSISTORS
SHOCKLEY, W
论文数:
0
引用数:
0
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0
SHOCKLEY, W
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1949,
28
(03):
: 435
-
489
[2]
SHOCKLEY W, 1950, ELECTRONS HOLES SEMI, pCH9
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共 2 条
[1]
THE THEORY OF P-N JUNCTIONS IN SEMICONDUCTORS AND P-N JUNCTION TRANSISTORS
SHOCKLEY, W
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0
SHOCKLEY, W
[J].
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL,
1949,
28
(03):
: 435
-
489
[2]
SHOCKLEY W, 1950, ELECTRONS HOLES SEMI, pCH9
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