EPITAXIAL-GROWTH OF A METAL(COSI2) INSULATOR(CAF2) NANOMETER-THICK HETEROSTRUCTURE AND ITS APPLICATION TO QUANTUM-EFFECT DEVICES

被引：6

作者：

ASADA, M

WATANABE, M

SUEMASU, T

KOHNO, Y

SAITOH, W

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1995年 / 13卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1116/1.579796

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：623 / 628

页数：6