STRUCTURAL DEFECTS IN B-DOPED SI SUBSTRATES FOR X-RAY MASKS

被引：6

作者：

UZOH, C

MALDONADO, JR

ANGILELLO, J

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583880

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：266 / 271

页数：6

共 10 条

[1]

ACOSTA RE, P MICROCIRCUIT ENG 8

[2]

ACOSTA RE, 1983, P SPIE, V448

[3]

CARRUTHERS JR, 1963, J APPL PHYS, V34

[4]

MONKOWSKI J, 1976, SOLID STATE TECH NOV

[5]

QUISSER HJ, 1961, J APPL PHYS, V32

[6]

RANDALL SP, 1960, J INORG NUCL CHEM, V19, P29

[7]

SCHUTTKE GH, 1962, J APPL PHYS, V33

[8] USE OF SYNCHROTRON RADIATION IN X-RAY-DIFFRACTION TOPOGRAPHY [J].

TUOMI, T ;

NAUKKARINEN, K ;

RABE, P .

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 1974, 25 (01) :93-106

[9]

WILSON C, 1959, COMPREHENSIVE ANAL A, V1, P385

[10]

TECHNICAL INFORMATIO