MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF HIGH-QUALITY IN0.52AL0.48AS AND IN1-X-YGAXALYAS

被引：9

作者：

CHIN, A ^{[1
]}

BHATTACHARYA, P ^{[1
]}

HONG, WP ^{[1
]}

LI, WQ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV MICHIGAN,DEPT ELECT ENGN & COMP SCI,SOLID STATE ELECTR LAB,ANN ARBOR,MI 48109

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1988年 / 6卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.584384

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：665 / 667

页数：3