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SILICON SURFACE PASSIVATION FOR HETEROEPITAXY BY HYDROGEN TERMINATION
被引：7
作者：
FENNER, DB
BIEGELSEN, DK
BRINGANS, RD
KRUSOR, BS
机构：
来源：
CHEMISTRY AND DEFECTS IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
|
1989年
/
148卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-148-279
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
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页码：279 / 284
页数：6
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