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THE EFFECT OF 1300-1380-DEGREES-C ANNEAL TEMPERATURES AND MATERIAL CONTAMINATION ON THE CHARACTERISTICS OF CMOS/SIMOX DEVICES

被引：13
作者：
JASTRZEBSKI, L
IPRI, AC
机构：
来源：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | 1988年 / 9卷 / 03期
关键词：
D O I：
10.1109/55.2072
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：151 / 153
页数：3
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