TECHNIQUE FOR OHMIC CONNECTING LEADS TO SILICON

被引：12

作者：

MATSUURA, E

MAISUI, K

HASIGUTI, RR

机构：

来源：

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1962年 / 33卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1063/1.1728787

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1610 / &

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共 1 条

[1] HASIGUTI RR, 1960, P INT C SEMICONDUCTO, P312