SCATTERING AND NOISE PARAMETERS OF 4 RECENT MICROWAVE BIPOLAR TRANSISTORS UP TO 12 GHZ

被引：3

作者：

HARTMANN, K ^{[1
]}

STRUTT, MJO ^{[1
]}

机构：

[1] SWISS FED INST TECHNOL,DEPT ADV ELECT ENGN,ZURICH,SWITZERLAND

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE | 1973年 / 61卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1973.8988

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：133 / 135

页数：3

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