PERFORMANCES OF A P-I-N TYPE SEMICONDUCTOR DETECTOR AT LOW TEMPERATURES

被引:10
作者
GREGOIRE, G
HEUGHEBAERT, J
LEMAITRE, G
OOSTENS, J
VANGERVEN, L
机构
来源
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1964年 / 28卷 / 02期
关键词
D O I
10.1016/0029-554X(64)90449-5
中图分类号
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要
引用
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页码:346 / 348
页数:3
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共 1 条
[1]  
Landau L, 1944, J PHYS-USSR, V8, P201