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PERFORMANCES OF A P-I-N TYPE SEMICONDUCTOR DETECTOR AT LOW TEMPERATURES
被引:10
作者
:
GREGOIRE, G
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0
GREGOIRE, G
HEUGHEBAERT, J
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HEUGHEBAERT, J
LEMAITRE, G
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LEMAITRE, G
OOSTENS, J
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OOSTENS, J
VANGERVEN, L
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VANGERVEN, L
机构
:
来源
:
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS
|
1964年
/ 28卷
/ 02期
关键词
:
D O I
:
10.1016/0029-554X(64)90449-5
中图分类号
:
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号
:
0804 ;
080401 ;
081102 ;
摘要
:
引用
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Landau L, 1944, J PHYS-USSR, V8, P201
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