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EPITAXIALLY INDUCED STRESS IN GAAS LAYER ON V-GROOVED SI AND GAAS SUBSTRATES
被引：12
作者：
HASHIMOTO, A
KAMIJOH, T
WATANABE, N
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1987年
/
26卷
/
07期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.26.L1128
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L1128 / L1130
页数：3
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