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DIFFUSION OF INDIUM AND PT IN MELT-QUENCHED AMORPHOUS-SILICON AT T-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-300-DEGREES-C
被引：2
作者：
HARITH, MA
CAMPISANO, SU
POATE, JM
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/3/9/001
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
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页码：829 / 831
页数：3
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