N-CHANNEL ION-IMPLANTED ENHANCEMENT-DEPLETION FET CIRCUIT AND FABRICATION TECHNOLOGY

被引：19

作者：

FORBES, L ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,COMPONENTS DIV,MANASSAS,VA 22110

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1973.1050379

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：226 / 230

页数：5

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共 6 条

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