HG1-XCDXTE AS A SEMICONDUCTOR-LASER

被引：4

作者：

HAUG, A ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK INST,D-7000 STUTTGART 80,FED REP GER

来源：

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY | 1989年 / 4卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1088/0268-1242/4/9/015

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：803 / 806

页数：4

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