HIGH-PERFORMANCE GAINAS INTERDIGITATED-METAL-SEMICONDUCTOR-METAL (IMSM) 1.3-MU-M PHOTODETECTOR GROWN ON A GAAS SUBSTRATE

被引：12

作者：

ROGERS, DL ^{[1
]}

WOODALL, JM ^{[1
]}

PETTIT, GD ^{[1
]}

MCINTURFF, D ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,THOMAS J WATSON RES CTR,YORKTOWN HTS,NY 10598

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1987.23314

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：2383 / 2384

页数：2