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CATHODOLUMINESCENCE OBSERVATION OF SIO2 LAYERS IN A SEMICONDUCTOR-DEVICE
被引:6
作者
:
KOYAMA, H
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KOYAMA, H
机构
:
来源
:
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
|
1980年
/ 51卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.327868
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:2304 / 2305
页数:2
相关论文
共 1 条
[1]
KOYAMA H, 1980, J APPL PHYS, V51, pR40
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