SUMMARY ABSTRACT - INSITU GROWN SEMICONDUCTOR METAL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES - MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF TUNGSTEN LAYERS EMBEDDED IN SINGLE-CRYSTAL GAAS

被引：1

作者：

HARBISON, JP

HWANG, DM

LEVKOFF, J

DERKITS, GE

机构：

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1986年 / 4卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583594

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：662 / 663

页数：2

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共 4 条

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