共 2 条
- [1] HIRSCH PB, 1965, ELECTRON MICROS, P263
- [2] Ion-Implantation Doping of Semiconductors[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1967, 2 (06) : 589 - 609Large, L. N.Bicknell, R. W.
DISTRIBUTION OF CONDENSED DEFECT STRUCTURES FORMED IN ANNEALED BORON-IMPLANTED SILICON
被引：18
作者：
BICKNELL, RW
机构：
来源：
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES
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1969年
/
311卷
/
1504期
关键词：
D O I：
10.1098/rspa.1969.0101
中图分类号：
O [数理科学和化学];
P [天文学、地球科学];
Q [生物科学];
N [自然科学总论];
学科分类号：
07 ;
0710 ;
09 ;
摘要：
引用
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