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DISTRIBUTION OF CONDENSED DEFECT STRUCTURES FORMED IN ANNEALED BORON-IMPLANTED SILICON
被引:18
作者
:
BICKNELL, RW
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
BICKNELL, RW
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES
|
1969年
/ 311卷
/ 1504期
关键词
:
D O I
:
10.1098/rspa.1969.0101
中图分类号
:
O [数理科学和化学];
P [天文学、地球科学];
Q [生物科学];
N [自然科学总论];
学科分类号
:
07 ;
0710 ;
09 ;
摘要
:
引用
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页码:75 / &
相关论文
共 2 条
[1]
HIRSCH PB, 1965, ELECTRON MICROS, P263
[2]
Ion-Implantation Doping of Semiconductors
Large, L. N.
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Serv Elect Res Lab, Baldock, Herts, England
Serv Elect Res Lab, Baldock, Herts, England
Large, L. N.
Bicknell, R. W.
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
Plessey Co Ltd, Allen Clark Res Ctr, Towcester, Northants, England
Serv Elect Res Lab, Baldock, Herts, England
Bicknell, R. W.
[J].
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE,
1967,
2
(06)
: 589
-
609
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共 2 条
[1]
HIRSCH PB, 1965, ELECTRON MICROS, P263
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机构:
Serv Elect Res Lab, Baldock, Herts, England
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Large, L. N.
Bicknell, R. W.
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0
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0
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0
机构:
Plessey Co Ltd, Allen Clark Res Ctr, Towcester, Northants, England
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2
(06)
: 589
-
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