DISTRIBUTION OF CONDENSED DEFECT STRUCTURES FORMED IN ANNEALED BORON-IMPLANTED SILICON

被引:18
作者
BICKNELL, RW
机构
来源
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY OF LONDON SERIES A-MATHEMATICAL AND PHYSICAL SCIENCES | 1969年 / 311卷 / 1504期
关键词
D O I
10.1098/rspa.1969.0101
中图分类号
O [数理科学和化学]; P [天文学、地球科学]; Q [生物科学]; N [自然科学总论];
学科分类号
07 ; 0710 ; 09 ;
摘要
引用
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页码:75 / &
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共 2 条
  • [1] HIRSCH PB, 1965, ELECTRON MICROS, P263
  • [2] Ion-Implantation Doping of Semiconductors
    Large, L. N.
    Bicknell, R. W.
    [J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1967, 2 (06) : 589 - 609