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DISTRIBUTION OF GAP STATES IN HIGHLY PHOTOSENSITIVE A-SIC-H
被引：3
作者：
AKITA, S
NAKAYAMA, Y
YAMANO, M
KAWAMURA, T
机构：
来源：
AMORPHOUS SILICON TECHNOLOGY - 1989
|
1989年
/
149卷
关键词：
D O I：
10.1557/PROC-149-167
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ;
081704 ;
摘要：
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页码：167 / 172
页数：6
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