MONOLITHIC INTEGRATION OF A GAALAS INJECTION-LASER WITH A SCHOTTKY-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR

被引：36

作者：

FUKUZAWA, T

NAKAMURA, M

HIRAO, M

KURODA, T

UMEDA, J

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1980年 / 36卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.91438

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：181 / 183

页数：3

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共 3 条

[1] HONMA Y, 1978, IEEE INT ELECTRON DE, P630
[2] LADANY I, 1978, IEEE P IEDM NEW YORK, P630
[3] MONOLITHIC INTEGRATION OF AN INJECTION-LASER AND A METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR
URY, I
MARGALIT, S
YUST, M
YARIV, A
[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS, 1979, 34 (07) : 430 - 431