STRAIN-INDUCED SHIFT OF OPTICAL PHONON FREQUENCY IN INGAP LAYERS GROWN ON GAAS SUBSTRATES

被引：7

作者：

KATO, T

MATSUMOTO, T

HOSOKI, M

ISHIDA, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L1597

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L1597 / L1600

页数：4