EFFECT OF CONTACT RESISTANCE ON GUNN-DIODE RISETIMES

被引：4

作者：

EDWARDS, D

MYERS, F

KELLETT, G

TURNER, P

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1972年 / 8卷 / 24期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19720432

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：596 / &

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共 3 条

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