PREPARATION OF CRYSTALS OF INAS, INP, GAAS, AND GAP BY A VAPOR PHASE REACTION

被引：59

作者：

ANTELL, GR

EFFER, D

机构：

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1959年 / 106卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2427398

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

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页码：509 / 511

页数：3

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共 4 条

[1] LIU TS, 1953, T AM SOC METAL, V45, P677
[2] SOME PROPERTIES OF SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE
REYNOLDS, WN
LILBURNE, MT
DELL, RM
[J]. PROCEEDINGS OF THE PHYSICAL SOCIETY OF LONDON, 1958, 71 (459): : 416 - 421
[3] VONDERBOOMGAARD J, 1953, PHILIPS RES REPTS, V12, P127
[4] VONGIESECKE G, 1958, ACTA CRYST, V11, P369