ALGAAS/GAAS MQW LASER DIODE FABRICATED ON SI SUBSTRATES BY MOCVD

被引：5

作者：

SHIRAISHI, H

YAMADA, R

MATSUI, N

UMENO, M

机构：

[1] Nagoya Inst of Technology, Nagoya, Jpn, Nagoya Inst of Technology, Nagoya, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 03期

关键词：

LASER DIODES - METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - MULTI-QUANTUM-WELL DEVICES - PEAK WAVELENGTH - THRESHOLD CURRENT;

D O I：

10.1143/JJAP.26.L198

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L198 / L199

页数：2