THE INFLUENCE OF THE DRAIN MULTIPLICATION CURRENT ON LATCHUP BEHAVIOR

被引：4

作者：

DEFERM, L ^{[1
]}

LEBON, HA ^{[1
]}

CLAEYS, C ^{[1
]}

DECLERCK, GJ ^{[1
]}

机构：

[1] INTERUNIV MICROELECTR CTR,ADV SEMICOND PROC GRP,B-3030 LEUVEN,BELGIUM

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.7391

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1810 / 1819

页数：10

共 6 条

[1]

DEFERM L, 1988, IEEE T ELECTRON DEVI, V35

[2]

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[3] CARRIER MOBILITY AND CURRENT SATURATION IN MOS TRANSISTOR [J].

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[4]

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