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SIMPLE TECHNIQUE FOR VERY THIN SIO2 FILM THICKNESS MEASUREMENTS
被引:19
作者
:
PLISKIN, WA
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0
PLISKIN, WA
ESCH, RP
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ESCH, RP
机构
:
来源
:
APPLIED PHYSICS LETTERS
|
1967年
/ 11卷
/ 08期
关键词
:
D O I
:
10.1063/1.1755124
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:257 / &
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共 2 条
[1]
THICKNESS MEASUREMENT OF SILICON DIOXIDE LAYERS BY ULTRAVIOLET-VISIBLE INTERFERENCE METHOD
CORL, EA
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WIMPFHEIMER, H
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WIMPFHEIMER, H
[J].
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1964,
7
(10)
: 755
-
&
[2]
REFRACTIVE INDEX OF SIO2 FILMS GROWN ON SILICON
PLISKIN, WA
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PLISKIN, WA
ESCH, RP
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ESCH, RP
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1965,
36
(06)
: 2011
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共 2 条
[1]
THICKNESS MEASUREMENT OF SILICON DIOXIDE LAYERS BY ULTRAVIOLET-VISIBLE INTERFERENCE METHOD
CORL, EA
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-
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REFRACTIVE INDEX OF SIO2 FILMS GROWN ON SILICON
PLISKIN, WA
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PLISKIN, WA
ESCH, RP
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ESCH, RP
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1965,
36
(06)
: 2011
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