BURIED HETEROSTRUCTURE GAAS/GAALAS DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR SURFACE EMITTING LASER WITH VERY LOW THRESHOLD (5.2 MA) UNDER ROOM-TEMPERATURE CW CONDITIONS

被引:53
作者
IBARAKI, A
KAWASHIMA, K
FURUSAWA, K
ISHIKAWA, T
YAMAGUCHI, T
NIINA, T
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1989年 / 28卷 / 04期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.28.L667
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
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页码:L667 / L668
页数:2
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