CRITERIA FOR TIPPING DURING LIQUID-PHASE EPITAXIAL-GROWTH OF INDIUM PHOSPHIDE

被引：11

作者：

BROWN, KE ^{[1
]}

机构：

[1] THORN LIGHTING LTD,RES & ENGN LABS,LEICESTER LE4 7PD,ENGLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(73)90133-4

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：161 / 164

页数：4

共 5 条

[1] DETERMINATION OF UNDERCOOLING NECESSARY TO INITIATE EPITAXIAL-GROWTH OF GAAS FROM SOLUTION IN GA
CROSSLEY, I
SMALL, MB
[J]. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1972, 15 (04) : 275 - &
[2] Minden H. T., 1970, Journal of Crystal Growth, V6, P228, DOI 10.1016/0022-0248(70)90071-0
[3] NELSON H, 1963, RCA REV, V24, P603
[4] Sekerka R. F., 1968, Journal of Crystal Growth, V3-4Spe, P71, DOI 10.1016/0022-0248(68)90102-4
[5] Tiller W. A., 1968, Journal of Crystal Growth, V2, P345, DOI 10.1016/0022-0248(68)90027-4