FIELD OXIDE INVERSION EFFECTS IN IRRADIATED CMOS DEVICES

被引：5

作者：

ADAMS, JR ^{[1
]}

COPPAGE, FN ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA LABS,ALBUQUERQUE,NM 87115

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1976年 / 23卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1976.4328548

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1604 / 1609

页数：6

相关论文

共 10 条

[1]

AITKEN JM, 1976, JAP, V47, pN3

[2]

BURGHARD RA, 1975, AFWL75198 CONTR

[3]

CHURCHILL JN, 1976, SS ELECT, V19

[4]

DERBENWICK GF, 1975, IEEE T NUCL SCI, V22, pN6

[5]

DINGWALL AGF, 1975, IEEE J SOL ST CIR, V10, pN4

[6]

DOUGLAS EC, 1975, IEEE T ELECTRON DEV, V22, pN10

[7]

FOSSUM JG, 1975, IEEE T NUCL SCI, V22, pN6

[8]

HUGHES GW, 1976, PRRL76CR3 ONR RPT

[9]

LIN HC, 1972, IEEE T ELECTRON DEV, V19, pN11

[10]

SANSBURY JD, 1973, IEEE T ELECTRON DEV, V20, pN5