AMORPHOUS HYDROGENATED CARBON-FILMS ON SEMICONDUCTORS .1. ELECTRONIC-PROPERTIES OF THE INTERFACE

被引：30

作者：

UGOLINI, D ^{[1
]}

EITLE, J ^{[1
]}

OELHAFEN, P ^{[1
]}

WITTMER, M ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP, THOMAS J WATSON RES CTR, YORKTOWN HTS, NY 10598 USA

来源：

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING | 1989年 / 48卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1007/BF00617856

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：549 / 558

页数：10

共 27 条

[21]

UGOLINI D, IN PRESS

[22]

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[23]

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[24] THERMAL GAS EFFUSION FROM HYDROGENATED AMORPHOUS-CARBON FILMS [J].

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APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 1989, 48 (06) :559-566

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LINDAU, I .