GALLIUM NITRIDE FORMED BY VAPOUR DEPOSITION AND BY CONVERSION FROM GALLIUM ARSENIDE

被引:15
作者
FAULKNER, KR
WICKENDEN, DK
ISHERWOOD, BJ
RICHARDS, BP
SCOBEY, IH
机构
关键词
D O I
10.1007/BF02397782
中图分类号
T [工业技术];
学科分类号
08 ;
摘要
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页数:1
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