VARIATION OF TRANSISTOR PARAMETERS WITH TEMPERATURE

被引：3

作者：

COBLENZ, A

OWENS, HL

机构：

来源：

PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF RADIO ENGINEERS | 1952年 / 40卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1109/JRPROC.1952.273981

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1472 / 1476

页数：5

相关论文

共 3 条

[1] PRESENT STATUS OF TRANSISTOR DEVELOPMENT [J].

MORTON, JA .

BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1952, 31 (03) :411-442

[2]

MORTON JA, 1952, ELECTRONICS, V25, P100

[3]

THOMAS DE, LOW DRAIN TRANSISTOR, V40, P1385