UHV-REM STUDY OF CHANGES IN THE STEP STRUCTURES ON CLEAN (100) SILICON SURFACES BY ANNEALING

被引：41

作者：

INOUE, N

TANISHIRO, Y

YAGI, K

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS | 1987年 / 26卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L293

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L293 / L295

页数：3