X-RAY ANALYSIS OF INTERFACE LAYER IN GE-SI N-N HETEROJUNCTION

被引：2

作者：

FUJIMOTO, T

YAMAGUCHI, J

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1968年 / 7卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.7.562

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

收藏

页码：562 / +

页数：1

相关论文

共 2 条

[1] SOME PROPERTIES OF GERMANIUM-SILICON ALLOYS
JOHNSON, ER
CHRISTIAN, SM
[J]. PHYSICAL REVIEW, 1954, 95 (02): : 560 - 561
[2] KIMURA T, 1966, JPN J APPL PHYS, V5, P639