EXCELLENT NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE OF INALAS-INGAAS RESONANT TUNNELING BARRIER STRUCTURES GROWN BY MBE

被引:34
作者
INATA, T
MUTO, S
NAKATA, Y
FUJII, T
OHNISHI, H
HIYAMIZU, S
机构
来源
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 12期
关键词
D O I
10.1143/JJAP.25.L983
中图分类号
O59 [应用物理学];
学科分类号
摘要
引用
收藏
页码:L983 / L985
页数:3
相关论文
empty
未找到相关数据