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EXCELLENT NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE OF INALAS-INGAAS RESONANT TUNNELING BARRIER STRUCTURES GROWN BY MBE
被引:34
作者
:
INATA, T
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INATA, T
MUTO, S
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MUTO, S
NAKATA, Y
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NAKATA, Y
FUJII, T
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FUJII, T
OHNISHI, H
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OHNISHI, H
HIYAMIZU, S
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HIYAMIZU, S
机构
:
来源
:
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
|
1986年
/ 25卷
/ 12期
关键词
:
D O I
:
10.1143/JJAP.25.L983
中图分类号
:
O59 [应用物理学];
学科分类号
:
摘要
:
引用
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页码:L983 / L985
页数:3
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