STRUCTURAL-ANALYSIS OF ULTRATHIN EPITAXIAL GE/SI FILMS ON SI(100)

被引：4

作者：

BEVK, J ^{[1
]}

DAVIDSON, BA ^{[1
]}

FELDMAN, LC ^{[1
]}

GOSSMANN, HJ ^{[1
]}

MANNAERTS, JP ^{[1
]}

NAKAHARA, S ^{[1
]}

OURMAZD, A ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,HOLMDEL,NJ 07733

来源：

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1987年 / 5卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1116/1.583744

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1147 / 1149

页数：3