THERMAL-EXPANSION OF THE HEXAGONAL (6H) POLYTYPE OF SILICON-CARBIDE

被引：83

作者：

LI, Z

BRADT, RC

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1111/j.1151-2916.1986.tb07385.x

中图分类号：

TQ174 [陶瓷工业]; TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：863 / 866

页数：4

共 28 条

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