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EFFECT OF GROWTH ORIENTATION ON CRYSTAL PERFECTION OF HORIZONTAL BRIDGMAN GROWN GAAS
被引:20
作者
:
PLASKETT, TS
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0
PLASKETT, TS
WOODALL, JM
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WOODALL, JM
SEGMULLER, A
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SEGMULLER, A
机构
:
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1971年
/ 118卷
/ 01期
关键词
:
D O I
:
10.1149/1.2407920
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:115 / +
页数:1
相关论文
共 4 条
[1]
SILICON CRYSTALS FREE OF DISLOCATIONS
DASH, WC
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[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1958,
29
(04)
: 736
-
737
[2]
ROOM TEMPERATURE CHEMICAL POLISHING OF GE AND GAAS
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JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(12)
: 1425
-
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NEW X-RAY DIFFRACTION MICROSCOPY TECHNIQUE FOR STUDY OF IMPERFECTIONS IN SEMICONDUCTOR CRYSTALS
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[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1965,
36
(09)
: 2712
-
&
[4]
STEINEMANN A, 1967, CRYST GROWTH, P81
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共 4 条
[1]
SILICON CRYSTALS FREE OF DISLOCATIONS
DASH, WC
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DASH, WC
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1958,
29
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[2]
ROOM TEMPERATURE CHEMICAL POLISHING OF GE AND GAAS
REISMAN, A
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REISMAN, A
ROHR, R
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ROHR, R
[J].
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,
1964,
111
(12)
: 1425
-
1428
[3]
NEW X-RAY DIFFRACTION MICROSCOPY TECHNIQUE FOR STUDY OF IMPERFECTIONS IN SEMICONDUCTOR CRYSTALS
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SCHWUTTK.GH
[J].
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,
1965,
36
(09)
: 2712
-
&
[4]
STEINEMANN A, 1967, CRYST GROWTH, P81
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