HIGH-DENSITY COS-MOS 1024-BIT STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY

被引：2

作者：

DINGWALL, AGF ^{[1
]}

STRICKER, RE ^{[1
]}

机构：

[1] RCA CORP,SOLID STATE TECHNOL CTR,SOMERVILLE,NJ 08876

来源：

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS | 1975年 / 10卷 / 04期

关键词：

D O I：

10.1109/JSSC.1975.1050593

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：197 / 200

页数：4

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共 4 条

[1]

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