COMPARISON OF VARIOUS SOURCE-GATE GEOMETRIES FOR POWER MOSFETS

被引：16

作者：

HOWER, PL ^{[1
]}

GEISLER, MJ ^{[1
]}

机构：

[1] WESTINGHOUSE ELECT CORP,CTR RES & DEV,PITTSBURGH,PA 15235

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1981年 / 28卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1981.20493

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：1098 / 1101

页数：4

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共 1 条

[1]

HU C, 1979, IEEE POWER ELECTRONI, P385