THEORY OF GENERATION-RECOMBINATION NOISE IN CHANNEL OF JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS

被引：9

作者：

VANVLIET, KM ^{[1
]}

HIATT, CF ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV FLORIDA, DEPT ELECT ENGN, GAINESVILLE, FL 32611 USA

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES | 1975年 / 22卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1975.18188

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：616 / 617

页数：2

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共 6 条

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