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GAAS-MESFETS WITH NONALLOYED OHMIC CONTACTS - TECHNOLOGY AND PERFORMANCE
被引:13
作者
:
论文数:
引用数:
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机构:
PACCAGNELLA, A
CANALI, C
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY
CANALI, C
DONZELLI, G
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY
DONZELLI, G
ZANONI, E
论文数:
0
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0
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0
机构:
UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY
ZANONI, E
WANG, LC
论文数:
0
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0
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0
机构:
UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY
WANG, LC
LAU, SS
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY
LAU, SS
机构
:
[1]
UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY
[2]
TELETTRA SPA,I-20059 VIMERCATE,ITALY
[3]
UNIV BARI,DIPARTIMENTO ELETTR & ELETTROTEC,I-70125 BARI,ITALY
[4]
UNIV CALIF SAN DIEGO,DEPT ELECTR & COMP ENGN,LA JOLLA,CA 92093
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1988年
/ 24卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19880478
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:708 / 709
页数:2
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