GAAS-MESFETS WITH NONALLOYED OHMIC CONTACTS - TECHNOLOGY AND PERFORMANCE

被引：13

作者：

PACCAGNELLA, A

CANALI, C

DONZELLI, G

ZANONI, E

WANG, LC

LAU, SS

机构：

[1] UNIV PADUA,DIPARTIMENTO ELETTR & INFORMAT,I-35131 PADUA,ITALY

[2] TELETTRA SPA,I-20059 VIMERCATE,ITALY

[3] UNIV BARI,DIPARTIMENTO ELETTR & ELETTROTEC,I-70125 BARI,ITALY

[4] UNIV CALIF SAN DIEGO,DEPT ELECTR & COMP ENGN,LA JOLLA,CA 92093

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19880478

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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