MSI HIGH-SPEED LOW-POWER GAAS INTEGRATED-CIRCUITS USING SCHOTTKY DIODE FET LOGIC

被引：19

作者：

LONG, SI

LEE, FS

ZUCCA, R

WELCH, BM

EDEN, RC

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1980年 / 28卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1980.1130102

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：466 / 472

页数：7

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共 4 条

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