HETEROEPITAXIAL GROWTH OF LOWER BORON ARSENIDE ON SI SUBSTRATE USING ASH3-B2H6-H2 SYSTEM

被引：9

作者：

HIRAYAMA, M ^{[1
]}

SHOHNO, K ^{[1
]}

机构：

[1] SOPHIA UNIV,DEPT ELECTR,CHIYODA,TOKYO,JAPAN

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | 1973年 / 12卷 / 12期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.12.1960

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：1960 / 1961

页数：2

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共 2 条

[1] INTERSTITIAL COMPOUNDS OF BORON [J].

MATKOVICH, V .

JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 1961, 83 (08) :1804-&

[2]

SHOHNO K, 1972, 142 SPR M EL SOC MIA