ENHANCEMENT-MODE ION-IMPLANTED INP FETS

被引：10

作者：

GLEASON, KR

DIETRICH, HB

BARK, ML

HENRY, RL

机构：

来源：

ELECTRONICS LETTERS | 1978年 / 14卷 / 19期

关键词：

D O I：

10.1049/el:19780432

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：643 / 644

页数：2

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共 2 条

[1] GLEASON KR, 1977, APPL PHYS LETT, V32, P578
[2] HENRY RL, I PHYSICS C GALLIUM